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TSK50N30M
1个N沟道 耐压:300V 电流:50A
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- 描述
- 特性：采用先进的平面条纹 DMOS 技术制造。 50A，300V，最大 RDS(on)=0.06Ω @VGS=10V。 漏源击穿电压：BVDSS=300V（最小值）。 低栅极电荷：Qg = 122nC（典型值）。 100% 雪崩测试。 RoHS 合规器件
- 品牌名称
- Truesemi(信安)
- 商品型号
- TSK50N30M
- 商品编号
- C20623853
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.829333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 300V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 122nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.49nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 600pF |
商品概述
这款功率MOSFET采用了东微半导（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 16A、250V，最大导通电阻RDS(on) = 0.25Ω（VGS = 10V时）