温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MGSF1N03L(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:2.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：这些微型表面贴装MOSFET的低导通电阻（RDS(ON)）可确保最小的功率损耗并节约能源，使其非常适合用于对空间要求较高的电源管理电路。 VDS = 30V。 ID = 2.1A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 80mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 125mΩ（VGS = 4.5V）
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- MGSF1N03L(UMW)
- 商品编号
- C20617895
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0408克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 690mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 140pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单