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AO4800(UMW)
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
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- 描述
- 特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。 两个MOSFET构成紧凑高效的开关和同步整流器组合，用于降压转换器
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- AO4800(UMW)
- 商品编号
- C20618069
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.191067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 858pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 110pF |
优惠活动
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起订量：5 个3000个/圆盘
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