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FDT3612(UMW)
N沟道 耐压:100V 电流:3.7A
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- 描述
- 该N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDT3612(UMW)
- 商品编号
- C20617897
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22816克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 632pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
商品特性
- 快速开关
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的R_DS(on)
- V_DS = 100V
- I_D = 3.7A
- R_DS(on) < 120mΩ (V_GS = 10V)
- R_DS(on) < 130mΩ (V_GS = 6V)
- 低栅极电荷（典型值14nC）
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力