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IRLL014NTR(UMW)
N沟道 耐压:55V 电流:2.8A
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- 描述
- SOT-223封装专为表面安装气相、红外或波峰焊技术而设计。独特的封装设计允许像其他封装一样轻松进行自动拾放，但由于有用于散热的加大散热片，还具有改善热性能的额外优势。在典型的表面贴装应用中，功耗可达1.0W。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLL014NTR(UMW)
- 商品编号
- C20617896
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22864克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 230pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 66pF |
商品概述
SOT-223封装专为表面贴装应用而设计，可采用气相、红外或波峰焊接技术。其独特的封装设计便于自动拾放操作，并因增大的散热焊盘而具备改进的散热性能。在典型的表面贴装应用中，可实现1.0W的功耗。
商品特性
- 漏源电压V_DS(V)=55V
- 漏极电流I_D=2A
- 导通电阻R_DS(ON)<140mΩ (栅源电压V_GS=10V)
- 表面贴装
- 先进工艺技术
- 超低导通电阻
- 动态dv/dt额定值
- 快速开关