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MT62F512M32D2DS-031 AIT:B实物图
  • MT62F512M32D2DS-031 AIT:B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT62F512M32D2DS-031 AIT:B

汽车级低功耗双倍数据速率5同步动态随机存取存储器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:架构:每通道最大带宽12.8 GB/s;频率范围800-5 MHz(每引脚数据速率范围6400-40 Mb/s,WCK:CK = 4:1);可选CKR。 LPDDR5数据接口:单x16通道/管芯;双倍数据速率命令/地址输入;差分命令时钟(CK_t/CK_c),用于高速操作;差分数据时钟(WCK_t/WCK_c);差分读取选通(RDQS_t/RDQS_c);16n位或32n位预取架构;4KB页大小,8存储体(8B模式),2KB页大小,存储体组(BBG模式),或16存储体(16B模式)操作;命令可选突发长度BL = 16或32(在存储体组或16存储体模式下);背景ZQ校准/基于命令的ZQ校准;链路保护(链路ECC)支持;部分阵列自刷新(PASR)和部分阵列自动刷新(PAAR),带段掩码。 超低电压核心和I/O电源:VDD1 = 1.70–1.95V;1.8V标称值;VDD2H = 1.01–1.12V;1.05V标称值;VDD2L = VDD2H或0.87-0.97V;0.9V标称值;VDDQ = 0.5V标称值或0.3V标称值(ODT关闭)。 I/O特性:接口-LVSTL 0.5/0.3 I/O类型:低摆幅单端,VSS端接,VOH补偿输出驱动;可编程VSS片上终端(ODT);非目标ODT支持;DVFSQ支持。 低功耗特性:DVFSC:动态电压频率缩放核心;单端CK,单端WCK和单端RDQS;数据复制;写入X。 选项:LPDDR5 VDD1/VDD2H/VDD2L/VDDQ:1.8V/1.05V/0.9V/0.5V;阵列配置-512兆x 32(2通道x16 I/O)512M32;1吉x 32(2通道x16 I/O)1G32;器件配置-封装中2个管芯D2;封装中4个管芯D4;FBGA“绿色”封装-315球TFBGA(12.4mm x 15.0mm,安装高度:最大1.1mm,Ø0.48 SMD);速度等级,周期时间(t'WCK)-6400 Mb/s-031;功能安全(FuSa)F1;美光硬件评估(ISO 26262-8:2018,第13条);FMEDA(ISO 26262-5:2018,第8、9条);适用于高达ASILD的系统;汽车级A-AEC-Q100;PPAP;工作温度:- 40°C ≤ TC ≤ +95°C IT;- 40°C ≤ TC ≤ +105°C AT;- 40°C ≤ TC ≤ +125°C UT2;版本:B
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT62F512M32D2DS-031 AIT:B
商品编号
C20554863
商品封装
WFBGA-200(10x14.5)​
包装方式
托盘
商品毛重
0.517克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR系列
时钟频率(fc)3.2GHz
存储容量16Gbit
属性参数值
工作电压1.7V~1.95V
刷新电流600uA
工作温度-40℃~+95℃

数据手册PDF

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