- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A TR
200b:x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E128M32D2DS-046 AAT:A TR
- 商品编号
- C20556146
- 商品封装
- 200-WFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值 1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V 或 LowVDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值 0.60 V
- 超低电压内核和I/O电源
- 频率范围：2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/引脚）
- 16n预取DDR架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单倍数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟
- 可编程和动态突发长度
- 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
- 每芯片最高8.5 GB/s带宽
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程VSS 端接
- 支持单端CK和DQS
- ACC08AF32-76PY-003-LC
- GTC06CFZ28-7PZ-025-LC
- FCQ38999/23NJ8PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24TC98PCMIL-STD-461
- 6609073-3
- 4-1879267-9
- ACC03A16S-17P-025-B30-LC
- ECJ-0EB1C683K
- FCQ38999/26ZE35SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20MB54SNMIL-STD-461
- MT62F1G32D2DS-023 AAT:B TR
- FCQ38999/24JG35SDMIL-STD-461
- MT53B512M32D2NP-062 AAT:C
- FCQ38999/20SJ19PNMIL-STD-461
- FCQ38999/26KJ46SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24WG35SNMIL-STD-461
- GTCL06A28-6PZ-025-LC
- FCQ38999/24TJ4AAMIL-STD-461
- FCQ38999/24FG75SAMIL-STD-461
- FCQ38999/26KC4PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26WC8BAMIL-STD-461