MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR

152球x32移动LPDDR PoP

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT46H32M32LFCG-5 IT:A TR
商品编号: C20557650
商品封装: 152-VFBGA (14x14)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能

商品概述

美光152球封装的移动低功耗DDR SDRAM（LPDDR）器件包含1Gb LPDDR或512Mb LPDDR芯片。1Gb LPDDR芯片是高速CMOS动态随机存取存储器，包含1,073,741,824位，内部配置为四组DRAM。x32的每个268,435,456位存储体组织为8192行×1024列×32位。512Mb LPDDR芯片是高速CMOS动态随机存取存储器，包含536,870,912位，内部配置为四组DRAM。x32的每个134,217,728位存储体组织为8192行×512列×32位。

商品特性

VDD / VDDQ = 1.70 - 1.95V
每字节数据有双向数据选通（DQS）
内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构；每个时钟周期进行2次数据访问
差分时钟输入（CK和CK#）
在每个CK上升沿输入命令
读取时DQS与数据边缘对齐；写入时DQS与数据中心对齐
4个内部存储体可并发操作
数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据，每字节一个掩码
可编程突发长度（BLs）：2、4、8或16
支持并发自动预充电选项
自动刷新和自刷新模式
1.8V LVCMOS兼容输入
片上温度传感器用于控制自刷新速率
部分阵列自刷新（PASR）
深度掉电（DPD）
支持状态寄存器读取（SRR）
可选输出驱动强度（DS）
时钟停止功能
64ms刷新

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	LPDDR SDRAM
	时钟频率(fc)	200MHz
	存储容量	1Gbit
	工作电压	1.7V~1.95V