- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B
汽车LPDDR5 SDRAM，每通道最大带宽12.8GB/s，频率范围800 - 5 MHz
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT62F1G64D8EK-031 AAT:B
- 商品编号
- C20562259
- 商品封装
- 441-TFBGA (14x14)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 3.2GHz | |
| 存储容量 | 64Gbit | |
| 工作电压 | 1.05V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 250uA | |
| 刷新电流 | 600uA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 片上纠错码；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 每通道最大带宽12.8GB/s
- 频率范围：800MHz至5MHz
- 单x16通道/晶粒
- 双倍数据率命令/地址输入
- 支持可选的CKR
- 采用差分命令时钟和数据时钟以实现高速运行
- 支持16n位或32n位预取架构
- 支持4KB页面大小配合8存储体模式，或2KB页面大小配合存储体组模式或16存储体模式运行
- 在存储体组或16存储体模式下，支持命令可选的突发长度
- 支持后台ZQ校准和基于命令的ZQ校准
- 支持链路保护
- 支持带段掩码的部分阵列自刷新和部分阵列自动刷新
- 核心与输入/输出电源采用超低电压供电
- 支持接口低电压摆幅终端逻辑
- 输入/输出类型为低摆幅单端，以VSS为终端
- 支持VOH补偿输出驱动
- 支持可编程的VSS片上终端和非目标片上终端
- 支持动态电压频率缩放核心
- 支持单端命令时钟、数据时钟和读取选通
- 支持数据复制和写入X功能
- 提供多种阵列配置选项
- 采用绿色细间距球栅阵列封装
- 封装尺寸为14.0mm × 14.0mm，最大安装高度1.1mm
- 支持多种速度等级
- 工作温度范围覆盖-40℃至+125℃