- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT46H64M32LFCX-6 IT:B
MT46H64M32LFCX-6 IT:B
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT46H64M32LFCX-6 IT:B
- 商品编号
- C20564096
- 商品封装
- VFBGA-90(9x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD / VDDQ电压范围为1.70 - 1.95V
- 每个数据字节配备双向数据选通信号（DQS）
- 采用内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构，每个时钟周期进行两次数据访问
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 在每个CK正沿输入命令
- 读取时DQS与数据边缘对齐，写入时DQS与数据中心对齐
- 4个内部存储体可并发操作
- 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据，每字节一个掩码
- 可编程突发长度（BL）：2、4、8或16
- 支持并发自动预充电选项
- 具备自动刷新和自刷新模式
- 1.8V LVCMOS兼容输入
- 温度补偿自刷新（TCSR）
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 深度掉电（DPD）
- 状态读取寄存器（SRR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 64ms刷新周期，汽车温度范围为32ms
- MT46H64M32LFCX-5 AT:B TR
- MT47H64M8SH-25E AIT:H
- MT62F1G64D8EK-031 AUT:B
- MT40A2G16TBB-062E:F
- MT41K512M16VRP-107 AIT:P
- MT41J64M16JT-15E AAT:G TR
- MT41K64M16TW-107 XIT:J
- MT41K256M16TW-093 IT:P
- MT41J64M16JT-15E IT:G
- MT41J64M16JT-187E:G
- MT41J64M16JT-15E XIT:G
- MT41J128M16JT-093G:K TR
- MT41J64M16JT-15E AIT:G TR
- MT41K64M16JT-125:G TR
- MT41J64M16JT-15E AAT:G
- MT41K128M16JT-125 AIT:K
- 7132SA25J
- FCQ38999/25YJ20PCMIL-STD-461
- MMSZ5263B-HE3_A-18
- FCQ38999/20ZD19PBMIL-STD-461
- FCQ38999/20JJ7AEMIL-STD-461
- FCQ38999/24KC98PAMIL-STD-461
- FCQ38999/25NE8PNMIL-STD-461
- ERG-2SJ681A
- ACC06F20-15PZ-025-B30-LC
- ERD-S2TJ564V
- FCQ38999/20JG11PDMIL-STD-461
- GTC06R28-11PY-025-LC
- IDT71V124SA12PH8
- MMSZ5254B-HE3_A-18
- 7142LA25JI8
- MMSZ5227B-HE3_A-08
- FCQ38999/27NB5PNMIL-STD-461
- MMSZ4682-HE3_A-18
- BZT52B3V3-HE3_A-08
- BZT52B3V6-HE3_A-08
- MW-09-301-W