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MT62F1G64D8EK-031 AUT:B实物图
  • MT62F1G64D8EK-031 AUT:B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT62F1G64D8EK-031 AUT:B

汽车LPDDR5 SDRAM,每通道最大带宽12.8GB/s,频率范围800 - 5 MHz

品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT62F1G64D8EK-031 AUT:B
商品编号
C20565650
商品封装
441-TFBGA (14x14)​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR5 SDRAM
时钟频率(fc)3.2GHz
存储容量64Gbit
工作电压1.05V
属性参数值
工作电流-
刷新电流600uA
工作温度-40℃~+125℃
功能特性片上纠错码;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能

商品特性

  • 架构:
    • 每通道最大带宽12.8GB/s
    • 频率范围:800 - 5MHz(每引脚数据速率范围:6400 - 40Mb/s,WCK:CK = 4:1)
    • 可选CKR
  • LPDDR5数据接口:
    • 单x16通道/管芯
    • 双倍数据速率命令/地址输入
    • 用于高速操作的差分命令时钟(CK_t/CK_c)
    • 差分数据时钟(WCK_t/WCK_c)
    • 差分读取选通(RDQS_t/RDQS_c)
    • 16n位或32n位预取架构
    • 8存储体(8B模式)下4KB页大小,存储体组(BG模式)下2KB页大小,或16存储体(16B模式)操作
    • 存储体组或16存储体模式下命令可选突发长度(BL = 16或32)
    • 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
    • 链路保护(链路ECC)支持
    • 带段掩码的部分阵列自刷新(PASR)和部分阵列自动刷新(PAAR)
  • 超低电压核心和I/O电源:
    • VDD1 = 1.70 - 1.95V;1.8V标称值
    • VDD2H = 1.01 - 1.12V;1.05V标称值
    • VDD2L = VDD2H或0.87 - 0.97V;0.9V标称值
    • VDDQ = 0.5V标称值或0.3V标称值(ODT关闭)
  • I/O特性:
    • 接口-LVSTL 0.5/0.3
    • I/O类型:低摆幅单端,VSS端接
    • VOH补偿输出驱动
    • 可编程VSS片上终端(ODT)
    • 非目标ODT支持
    • DVFSQ支持
  • 低功耗特性:
    • DVFSC:动态电压频率缩放核心
    • 单端CK、单端WCK和单端RDQS
    • 数据复制
    • 写入X
  • 选项:
    • 标记:
      • LPDDR5 VDD1/VDD2H/VDD2L/VDDQ:MT62F 1.8V/1.05V/0.9V/0.5V
      • 阵列配置:
        • 512兆x64(4通道x16 I/O)
        • 1吉x64(4通道x16 I/O)
      • 器件配置:封装D4中4个管芯,封装D8中8个管芯
      • FBGA“绿色”封装
      • 441球TFBGA(14.0mm×14.0mm,安装高度:最大1.1mm,Ø0.42 SMD)
      • 速度等级,周期时间(WCK) - 6400Mb/s -031
      • 功能安全(FuSa)
      • 美光硬件评估(ISO 26262 - 8:2018,第13条)
      • FMEDA(ISO 26262 - 5:2018,第8、9条)
      • 外部评估报告
      • 适用于高达ASIL D的系统
      • 汽车级A
      • AEC - Q100
      • PPAP
    • 工作温度:
      • 40°C ≤ TC ≤ +95°C
      • 40°C ≤ TC ≤ +105°C
      • 40°C ≤ TC ≤ +125°C
    • 版本:B

数据手册PDF