MT62F1G64D8EK-031 AUT:B
汽车LPDDR5 SDRAM,每通道最大带宽12.8GB/s,频率范围800 - 5 MHz
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT62F1G64D8EK-031 AUT:B
- 商品编号
- C20565650
- 商品封装
- 441-TFBGA (14x14)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 3.2GHz | |
| 存储容量 | 64Gbit | |
| 工作电压 | 1.05V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 600uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 功能特性 | 片上纠错码;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能 |
商品特性
- 架构:
- 每通道最大带宽12.8GB/s
- 频率范围:800 - 5MHz(每引脚数据速率范围:6400 - 40Mb/s,WCK:CK = 4:1)
- 可选CKR
- LPDDR5数据接口:
- 单x16通道/管芯
- 双倍数据速率命令/地址输入
- 用于高速操作的差分命令时钟(CK_t/CK_c)
- 差分数据时钟(WCK_t/WCK_c)
- 差分读取选通(RDQS_t/RDQS_c)
- 16n位或32n位预取架构
- 8存储体(8B模式)下4KB页大小,存储体组(BG模式)下2KB页大小,或16存储体(16B模式)操作
- 存储体组或16存储体模式下命令可选突发长度(BL = 16或32)
- 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
- 链路保护(链路ECC)支持
- 带段掩码的部分阵列自刷新(PASR)和部分阵列自动刷新(PAAR)
- 超低电压核心和I/O电源:
- VDD1 = 1.70 - 1.95V;1.8V标称值
- VDD2H = 1.01 - 1.12V;1.05V标称值
- VDD2L = VDD2H或0.87 - 0.97V;0.9V标称值
- VDDQ = 0.5V标称值或0.3V标称值(ODT关闭)
- I/O特性:
- 接口-LVSTL 0.5/0.3
- I/O类型:低摆幅单端,VSS端接
- VOH补偿输出驱动
- 可编程VSS片上终端(ODT)
- 非目标ODT支持
- DVFSQ支持
- 低功耗特性:
- DVFSC:动态电压频率缩放核心
- 单端CK、单端WCK和单端RDQS
- 数据复制
- 写入X
- 选项:
- 标记:
- LPDDR5 VDD1/VDD2H/VDD2L/VDDQ:MT62F 1.8V/1.05V/0.9V/0.5V
- 阵列配置:
- 512兆x64(4通道x16 I/O)
- 1吉x64(4通道x16 I/O)
- 器件配置:封装D4中4个管芯,封装D8中8个管芯
- FBGA“绿色”封装
- 441球TFBGA(14.0mm×14.0mm,安装高度:最大1.1mm,Ø0.42 SMD)
- 速度等级,周期时间(WCK) - 6400Mb/s -031
- 功能安全(FuSa)
- 美光硬件评估(ISO 26262 - 8:2018,第13条)
- FMEDA(ISO 26262 - 5:2018,第8、9条)
- 外部评估报告
- 适用于高达ASIL D的系统
- 汽车级A
- AEC - Q100
- PPAP
- 工作温度:
- 40°C ≤ TC ≤ +95°C
- 40°C ≤ TC ≤ +105°C
- 40°C ≤ TC ≤ +125°C
- 版本:B
- 标记:
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