MT41K64M16JT-125:G TR

DDR3L SDRAM（1.35V）是DDR3 SDRAM（1.5V）的低电压版本。

• VDD = VDDQ = +1.35V（1.283V至1.45V）
• 向后兼容VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
• 差分双向数据选通
• 8n位预取架构
• 差分时钟输入（CK，CK#）
• 8个内部存储体
• 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终端（ODT）
• 可编程CAS（读取）延迟（CL）
• 可编程CAS附加延迟（AL）
• 可编程CAS（写入）延迟（CWL）
• 固定突发长度（BL）为8，突发截断（BC）为4（通过模式寄存器组[MRS]）
• 可动态选择BC4或BL8
• 自刷新模式
• TC为0°C至95°C
• 在0°C至85°C时，64ms内进行8192次刷新
• 在85°C至95°C时，32ms内进行刷新
• 自刷新温度（SRT）
• 自动自刷新（ASR）
• 写入电平调整
• 多功能寄存器
• 输出驱动器校准