MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR

8Gb x16 双芯片汽车级 DDR3L SDRAM

品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT41K512M16VRP-107 AIT:P TR
商品编号: C20570066
商品封装: 96-FBGA (8x14)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.414克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	58mA
	刷新电流	30mA
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

商品概述

8Gb（双芯片）DDR3L SDRAM（1.35V）在一个封装中使用两个美光4Gb DDR3L SDRAM x8芯片，构成一个2字节x16的器件。对于本文档未包含的规格，请参考美光4Gb DDR3L SDRAM数据表（x8选项）。基础部件编号MT41K512M8的规格与双芯片制造基础部件编号MT41K512M16相关。

商品特性

使用两个x8、4Gb美光芯片组成一个x16封装
单秩双芯片
一个外部ZQ焊球和一个内部ZQ通过嵌入式串联电阻连接到VSSQ
VDD = VDDQ = 1.35 V（1.283 - 1.45 V）
向后兼容VDD = VDDQ = 1.5 V ± 0.075 V
差分双向数据选通
8n位预取架构
差分时钟输入（CK，CK#）
8个内部存储体
数据、选通和掩码信号的标称和动态片内终结（ODT）
可编程CAS（读取）延迟（CL）
可编程后置CAS附加延迟（AL）
可编程CAS（写入）延迟（CWL）
固定突发长度（BL）为8，突发截断（BC）为4（通过模式寄存器组[MRS]）
可动态选择BC4或BL8
自刷新模式
TC范围为 -40°C至 +105°C
在 -40°C至 +85°C时，64ms、8192周期刷新
在 +85°C至 +105°C时，32ms刷新
自刷新温度（SRT）
自动自刷新（ASR）
写入电平调整
多功能寄存器
输出驱动器校准
通过AEC - Q100认证
提交生产件批准程序（PPAP）
8D响应时间

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR3L SDRAM
	时钟频率(fc)	933MHz
	存储容量	8Gbit
	工作电压	1.283V~1.45V