- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT46H16M32LFCX-5 IT:B
512Mb X16、x32 移动型 LPDDR SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT46H16M32LFCX-5 IT:B
- 商品编号
- C20562467
- 商品封装
- 90-VFBGA (9x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 存储容量 | 512Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD / VDDQ = 1.70 - 1.95V
- 1.2V I/O选项，VDDQ = 1.14 - 1.30V
- 每个数据字节的双向数据选通（DQS）
- 内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构；每个时钟周期进行两次数据访问
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 在每个CK正沿输入命令
- 读取时DQS与数据边缘对齐；写入时DQS与数据中心对齐
- 4个内部存储体用于并发操作
- 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据，每字节一个掩码
- 可编程突发长度（BL）：2、4、8或16
- 支持并发自动预充电选项
- 自动刷新和自刷新模式
- 1.8V LVCmos兼容输入
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 深度掉电（DPD）
- 状态读取寄存器（SRR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 64ms刷新
- FCQ38999/20JF18PEMIL-STD-461
- IDT71V124HSA12PH8
- CL21C820GBANNNC
- FCQ38999/27YE99PEMIL-STD-461
- RCS7A-24V
- MMSZ4692-HE3_A-08
- FCQ38999/26TC4PDMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZC8ANMIL-STD-461
- GRM0225C1E1R9WDAEL
- A/CSI-O-BB
- BZT52B15-HE3_A-18
- ERD-S1TJ3R3V
- GTC030RV20-24SY-RDS-LC
- ABA3115RS3P1
- GTC030CFZ24-AJSY-025-B30-LC
- A/AN-R2S-232-A12-C5
- MMSZ5265B-HE3_A-18
- 4-1616922-3
- ERD-S2TJ822V
- 1410421-3
- 7134LA20J