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MT40A1G16TB-062E:F
16Gb：X4、x8、X16 DDR4 SDRAM
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- 描述
- 特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A1G16TB-062E:F
- 商品编号
- C20561900
- 商品封装
- FBGA-96(7.5x13)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 4.71克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR4 | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 70mA | |
| 刷新电流 | 11mA | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V - 125mV + 250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 最高95℃时TC最大为64ms，85℃时进行8192周期刷新，周期为32ms；温度在>85℃至95℃时进行8192周期刷新
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前置码
- 数据选通前置码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写电平校准
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大程度节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
- 数据总线的数据总线反相（DBI）
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4的连通性测试，具备sPPR和hPPR能力，支持MBIST - PPR（仅芯片版本F）
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