- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B
汽车用LPDDR5X SDRAM，每通道最大带宽17.1GB/s，频率范围1067 - 5MHz
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT62F1G32D2DS-023 AAT:B
- 商品编号
- C20555803
- 商品封装
- 200-WFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 4.266GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.05V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 3.3mA；200uA；600uA；31mA | |
| 刷新电流 | 270uA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 每通道最大带宽17.1 GB/s
- 频率范围：1067 - 5 MHz（每引脚数据速率范围：8533 - 40 Mb/s，WCK:CK = 4:1）
- 可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）
- 单x16通道/芯片
- 双倍数据率命令/地址输入
- 用于高速操作的差分命令时钟（CK_t/CK_c）
- 差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）
- 可选差分读取选通（RDQS_t/RDQS_c）
- 16n位或32n位预取架构
- 存储体架构：支持8存储体（8B）模式、存储体组（BG）模式和16存储体（16B）模式
- 在存储体组或16存储体模式下，命令可选突发长度（BL = 16或32）
- 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
- 可选链路保护（链路ECC）支持
- 带有段掩码的部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR）
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；典型值1.80 V
- VDD2H = 1.01 - 1.12 V；典型值1.05 V
- VDD2L = VDD2H 或 0.87 - 0.97 V；典型值0.90 V
- VDDQ = 0.50V 或 0.45V 典型值；0.30V 典型值（仅ODT关闭时）
- 接口-LVSTL 0.5/0.3
- I/O类型：低摆幅单端，VSS端接
- VOH补偿输出驱动
- 可编程VSS片上端接（ODT）
- 非目标ODT支持
- DVFSQ支持
- DVFSC：动态电压频率缩放核心
- 单端CK、单端WCK和单端RDQS
- 数据复制
- 写X
- FCQ38999/20JF11HNMIL-STD-461
- ACC00F32-15S-003-LC
- MT62F2G32D4DS-023 AAT:C
- MT62F1G32D2DS-023 WT:C
- FCQ38999/20SC35PNMIL-STD-461
- DCT6-2
- GTC06A28-9SZ-025-RDS-LC
- ACC02A24-16RW-003-LC
- 07-1-2-17 905
- MT62F2G32D4DS-023 AIT:B TR
- GTC030LCF24-12PY-025-B30-LC
- MT62F2G32D4DS-023 IT:B
- GTC030-40-1SZ-025-RDS-LC
- ACC03A16S-15P-003-B30-LC
- GTC030-32-76PW-B30-LC
- ACC02A32-15SW-003-LC
- GTC06A20-8SZ-023-LC
- FCQ38999/20GJ24PAMIL-STD-461
- MT62F2G32D4DS-023 AIT:B
- FCQ38999/20LG75SNMIL-STD-461
- FCQ38999/20GJ29SEMIL-STD-461