MT62F1G32D2DS-023 AAT:B
汽车用LPDDR5X SDRAM，每通道最大带宽17.1GB/s，频率范围1067 - 5MHz
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT62F1G32D2DS-023 AAT:B
- 商品编号
- C20555803
- 商品封装
- 200-WFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR5 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 4.266GHz | |
| 存储容量 | 32Gbit | |
| 工作电压 | 1.05V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 3.3mA；200uA；600uA；31mA | |
| 刷新电流 | 270uA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 架构：
- 每通道最大带宽17.1GB/s
- 频率范围：1067 - 5MHz（每引脚数据速率范围：8533 - 40Mb/s，WCK:CK = 4:1）
- 可选CKR（WCK:CK = 2:1或4:1）
- LPDDR5X/LPDDR5数据接口：
- 单x16通道/管芯
- 双倍数据速率命令/地址输入
- 用于高速操作的差分命令时钟（CK_t/CK_c）
- 差分数据时钟（WCK_t/WCK_c）
- 可选差分读取选通（RDQS_t/RDQS_c）
- 16n位或32n位预取架构
- 支持8-bank（8B）模式、bank组（BG）模式和16-bank（16B）模式
- 在bank组或16-bank模式下可通过命令选择突发长度（BL = 16或32）
- 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
- 可选链路保护（链路ECC）支持
- 带段掩码的部分阵列自刷新（PASR）和部分阵列自动刷新（PAAR）
- 超低电压核心和I/O电源：
- VDD1 = 1.70 - 1.95V；典型值1.80V
- VDD2H = 1.01 - 1.12V；典型值1.05V
- VDD2L = VDD2H或0.87 - 0.97V；典型值0.90V
- VDDQ = 0.50V或0.45V（典型值）；仅ODT关闭时典型值0.30V
- I/O特性：
- 接口 - LVSTL 0.5/0.3
- I/O类型：低摆幅单端，VSS端接
- VOH补偿输出驱动
- 可编程VSS片上终端（ODT）
- 非目标ODT支持
- DVFSQ支持
- 低功耗特性：
- DVFSC：动态电压频率缩放核心
- 单端CK、单端WCK和单端RDQS
- 数据复制
- 写入X
- 选项：
- 工作电压：
- VDD1 / VDD2H / VDD2L / VDDQ / VDDQ（仅ODT关闭）：1.80V / 1.05V / VDD2H或0.90V / 0.50V或0.45V / 0.30V
- 阵列配置：
- 1G x 32（1Gx16 x 2通道x 1排）1G32
- 2G x 32（1Gx16 x 2通道x 2排）2G32
- 4G x 32（2Gx8 x 2通道x 2排）4G32
- 器件配置：
- 封装内2个管芯（1G16 x 2管芯）D2
- 封装内4个管芯（1G16 x 4管芯）D4
- 封装内8个管芯（2G8 x 8管芯）D8
- FBGA符合RoHS标准的“绿色”封装：
- 315球TFBGA DS 12.4mm x 15.0mm（典型值），安装高度1.1mm（最大值）
- 315球LFBGA 12.4mm x 15.0mm（典型值），安装高度1.3mm（最大值）
- 速度等级，周期时间（WCK）：
- 8533Mb/s - 023
- 7500Mb/s - 026
- 功能安全特性：
- 美光安全特性启用
- 适用于满足高达ASIL D的随机硬件指标
- 汽车和功能安全：
- AEC - Q100
- PPAP
- 符合ISO 26262 ASIL D开发
- FMEDA（ISO 26262 - 5:2018，第8、9章）
- 安全手册
- 工作温度：
- -40°C ≤ TC ≤ +95°C IT
- -40°C ≤ TC ≤ +105°C
- -40°C ≤ TC ≤ +125°C UT
- 工作电压：