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MT62F1G32D4DS-031 AUT:B实物图
  • MT62F1G32D4DS-031 AUT:B商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT62F1G32D4DS-031 AUT:B

315b:x32汽车用LPDDR5 SDRAM

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私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT62F1G32D4DS-031 AUT:B
商品编号
C20555753
商品封装
200-WFBGA (10x14.5)​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR5 SDRAM
时钟频率(fc)3.2GHz
存储容量32Gbit
工作电压1.05V
属性参数值
工作电流12.4mA
刷新电流600uA
工作温度-40℃~+125℃
功能特性片上纠错码;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能

商品特性

  • 每通道最大带宽12.8 GB/s
  • 频率范围:800 - 5 MHz(每引脚数据速率范围:6400 - 40 Mb/s,WCK: CK = 4:1)
  • 可选CKR
  • 单x16通道/管芯
  • 双倍数据速率命令/地址输入
  • 用于高速操作的差分命令时钟(CK_t/CK_c)
  • 差分数据时钟(WCK_t/WCK_c)
  • 差分读取选通(RDQS_t/RDQS_c)
  • 16n位或32n位预取架构
  • 8存储体(8B模式)下4KB页大小,存储体组(BG模式)或16存储体(16B模式)操作下2KB页大小
  • 存储体组或16存储体模式下命令可选突发长度(BL = 16或32)
  • 后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
  • 链路保护(链路ECC)支持
  • 带段掩码的部分阵列自刷新(PASR)和部分阵列自动刷新(PAAR)
  • 超低电压核心和I/O电源
  • VDD1 = 1.70 - 1.95V;标称1.8V
  • VDD2H = 1.01 - 1.12V;标称1.05V
  • VDD2L = VDD2H或0.87 - 0.97V;标称0.9V
  • VDDQ = 0.5V标称或0.3V标称(ODT关闭)
  • 接口-LVSTL 0.5/0.3
  • I/O类型:低摆幅单端,VSS端接
  • VOH补偿输出驱动
  • 可编程VSS片上终端(ODT)
  • 非目标ODT支持
  • DVFSQ支持
  • 低功耗特性
  • DVFSC:动态电压频率缩放核心
  • 单端CK、单端WCK和单端RDQS
  • 数据复制
  • 阵列配置:512兆x 32(2通道x16 I/O)或1吉x 32(2通道x16 I/O)
  • 器件配置:封装内2个管芯或4个管芯
  • FBGA“绿色”封装:315球TFBGA(12.4mm × 15.0mm,安装高度:最大1.1mm,Ø0.48 SMD)
  • 速度等级,周期时间(WCK):6400 Mb/s
  • 功能安全(FuSa):适用于高达ASIL D的系统
  • 汽车级:符合AEC - Q100,PPAP
  • 工作温度:-40°C ≤ TC ≤ +95°C或-40°C ≤ TC ≤ +105°C或-40°C ≤ TC ≤ +125°C

数据手册PDF