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MT62F1G32D4DS-031 AIT:B引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT62F1G32D4DS-031 AIT:B

315b:x32汽车用LPDDR5 SDRAM

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私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT62F1G32D4DS-031 AIT:B
商品编号
C20555770
商品封装
200-WFBGA (10x14.5)​
包装方式
盒装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR5 SDRAM
时钟频率(fc)3.2GHz
存储容量32Gbit
工作电压1.05V
属性参数值
工作电流750uA;250uA;45mA
刷新电流3.48mA
工作温度-40℃~+95℃
功能特性自动自刷新;片上纠错码;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能

商品特性

  • 每个通道最大带宽为12.8 GB/s
  • 频率范围:800至5MHz(每引脚数据速率范围:6400至40Mb/s,WCK与CK比例为4:1)
  • 可选择CKR
  • 单x16通道/芯片
  • 双倍数据速率命令/地址输入
  • 用于高速操作的差分命令时钟(CK_t/CK_c)
  • 差分数据时钟(WCK_t/WCK_c)
  • 差分读取选通(RDQS_t/RDQS_c)
  • 16n位或32n位预取架构
  • 具有8存储体(8B模式)的4KB页大小,或具有存储体组(BG模式)的2KB页大小,或16存储体(16B模式)操作
  • 在存储体组或16存储体模式下,命令可选择突发长度(BL=16或32)
  • 支持后台ZQ校准/基于命令的ZQ校准
  • 支持链路保护(链路ECC)
  • 支持带段掩码的部分阵列自刷新(PASR)和部分阵列自动刷新(PAAR)
  • 核心和I/O电源采用超低电压
  • VDD1 = 1.70至1.95V;标称值1.8V
  • VDD2H = 1.01至1.12V;标称值1.05V
  • VDD2L = VDD2H 或 0.87至0.97V;标称值0.9V
  • VDDQ = 标称值0.5V 或 标称值0.3V(ODT关闭)
  • 接口为LVSTL 0.5/0.3
  • I/O类型:低摆幅单端,以VSS为终端
  • 具有VOH补偿的输出驱动
  • 可编程的VSS片上终端(ODT)
  • 支持非目标ODT
  • 支持DVFSQ
  • 低功耗特性包括:动态电压频率缩放核心(DVFSC)、单端CK、单端WCK和单端RDQS、数据复制、写X
  • 封装为315球TFBGA(12.4mm × 15.0mm,安装高度最大1.1mm,Ø0.48 SMD)
  • 速度等级,周期时间(WCK)为6400 Mb/s
  • 符合功能安全要求,适用于高达ASIL D的系统
  • 符合汽车等级要求
  • 工作温度范围:-40℃ ≤ TC ≤ +95℃(IT),-40℃ ≤ TC ≤ +105℃(AT),-40℃ ≤ TC ≤ +125℃(UT2)

数据手册PDF