Name: micron(镁光) MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR
Brand: micron(镁光)
SKU: C20553875
Price: 56.14 CNY
Availability: OutOfStock

本数据手册规定了统一的LPDDR4和LPDDR4X产品的操作，并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。当将产品用作LPDDR4设备时，请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
VDD1 = 1.70 - 1.95V；标称值1.80V
VDD2 = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V
VDDQ = 1.06 - 1.17V；标称值1.10V，或低VDDQ = 0.57 - 0.65V；标称值0.60V
超低电压核心和I/O电源
频率范围：2133 - 10 MHz（数据速率范围：4266 - 20 Mb/s/引脚）
16n预取DDR架构
每个通道有8个内部存储体用于并发操作
单数据速率CMD/ADR输入
每个字节通道的双向/差分数据选通
可编程的读取和写入延迟（RL/WL）
可编程且动态的突发长度（BL = 16, 32）
针对并发存储体操作和易于命令调度的每个存储体定向刷新
每个管芯最高可达8.5 GB/s
片上温度传感器以控制自刷新速率
部分阵列自刷新（PASR）
可选的输出驱动强度（DS）
时钟停止功能
符合RoHS标准的“绿色”封装
可编程的VSS（ODT）终端
支持单端CK和DQS
VDD1 / VDD2 / VDDQ：1.80V/1.10V/1.10V或0.60V
阵列配置：128M×16（1通道×16 I/O）128M16；128M×32（2通道×16 I/O）128M32
器件配置：封装D1中1个128M16管芯；封装D2中2个128M16管芯
FBGA“绿色”封装
200球WFBGA（10mm×14.5mm×DS 0.8mm，Ø0.35 SMD）
200球TFBGA SACQ（10mm×FW 14.5mm×1.1mm，Ø0.40 SMD）
速度等级，周期时间：535ps @ RL = 32/36；468ps @ RL = 36/40
汽车级
AEC - Q100
PPAP
工作温度范围：-40°C至+95°C IT；-40°C至+105°C AT；-40°C至+125°C UT
版本：A

	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	LPDDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	2.133GHz
	存储容量	4Gbit
	工作电压	1.1V

	属性	参数值
	工作电流	1.6mA
	刷新电流	1mA
	工作温度	-40℃~+125℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR

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