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MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR

200b:x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

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私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(美光)
商品型号
MT53E128M32D2DS-046 AUT:A TR
商品编号
C20553875
商品封装
200-WFBGA (10x14.5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4 SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量4Gbit
工作电压1.1V
属性参数值
工作电流1.6mA
刷新电流1mA
工作温度-40℃~+125℃
功能特性写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

商品特性

  • 统一LPDDR4和LPDDR4X产品，支持LPDDR4X 0.6V VDDQ操作
  • 核心电压VDD1为1.70至1.95V，标称1.80V；VDD2为1.06至1.17V，标称1.10V
  • VDDQ为1.06至1.17V，标称1.10V；或低VDDQ为0.57至0.65V，标称0.60V
  • 超低电压核心和输入/输出电源
  • 频率范围2133至10兆赫兹，数据速率范围4266至20兆比特每秒每引脚
  • 16n预取双倍数据速率架构
  • 每通道8个内部存储体用于并发操作
  • 单数据率命令/地址输入
  • 每个字节通道的双向/差分数据选通
  • 可编程读取和写入延迟
  • 可编程和动态突发长度
  • 定向每存储体刷新，便于命令调度
  • 每芯片最高8.5吉字节每秒
  • 片上温度传感器控制自刷新率
  • 部分阵列自刷新
  • 可选输出驱动强度
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS的绿色封装
  • 可编程VSS终止
  • 支持单端时钟和数据选通

数据手册PDF

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