- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
X16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E256M16D1DS-046 AAT:B
- 商品编号
- C20552372
- 商品封装
- 200-WFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 40mA | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；1.80 V 标称值
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称值
- VDDQ = 1.06 - 1.17 V；1.10 V 标称值，或 LowVDDQ = 0.57 - 0.65 V；0.60 V 标称值
- 低电压核心和输入/输出电源
- 频率范围：2133-10 MHz（数据速率范围：每引脚4266-20 Mb/s）
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率指令/地址输入
- 每个字节通道具有双向/差分数据选通
- 可编程读取和写入延迟
- 可编程和动态突发长度
- 支持每存储体定向刷新，便于并发存储体操作和指令调度
- 每芯片8.5 GB/s
- 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的环保封装
- 可编程VSS片内终端电阻
- 符合AEC-Q100标准
- MT53D512M16D1DS-046 AAT:D
- FCQ38999/24JH55PNMIL-STD-461
- ACC01A16-10P-025-LC
- FCQ38999/21NE35PCMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZC4ADMIL-STD-461
- MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B TR
- MT53D384M32D2DS-053 XT:E
- FCQ38999/24ZG11PEMIL-STD-461
- GTC06R28-6SZ-025-B30-LC
- FCQ38999/26LJ4PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26SH53SBMIL-STD-461
- 532431-8
- ACC02A20-21SZ-003-LC
- MT62F2G32D4DS-023 WT:B
- ACC05A32-68PZ-003-LC
- ACC08AF32-15SY-003-B30-LC
- MT53B384M32D2NP-062 WT:B
- FCQ38999/24TC4AAMIL-STD-461
- GTCL08-32-AFPZ-B30-LC
- MT53E384M32D2DS-046 AUT:E TR
- FCQ38999/20MG11PEMIL-STD-461