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SMP4338TR
SMP4338TR
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- 描述
- 2N4338和2N4339是非常低泄漏和低输入电容的N沟道JFET，适用于低噪声精密放大器。栅极泄漏典型值小于750fA，在室温下。2N4338的截止电压小于-1.0V，适合低电平电源供应。专有的InterFET工艺提供了卓越的辐射耐受性。
- 品牌名称
- InterFET
- 商品型号
- SMP4338TR
- 商品编号
- C20516013
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5kΩ | |
| 漏源电流(Idss) | 600uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
-50V的InterFET 2N4338和2N4339是极低泄漏、低输入电容的N沟道JFET，适用于低噪声精密放大器级。在室温下，栅极泄漏电流通常小于750fA。2N4338的截止电压小于 -1.0V，非常适合低电平电源。专有的InterFET工艺使其具有极高的抗辐射能力。
商品特性
- InterFET N0016H几何结构
- 低栅极泄漏：在40V时典型值 < 1pA
- 低输入电容CISS：典型值3pF
- 典型噪声：3.5 nV/√Hz
- 低夹断电压VGS(OFF)：2N4338小于 -1.0V
- 高抗辐射能力
- 符合RoHS、REACH、CMR标准
- 提供定制测试和分档选项
- 提供SMT、TH和裸片封装选项
- 边缘情况SPICE建模：InterFET SPICE
应用领域
- 放大器
- 开关
- 电压调节器
- 振荡器
- 信号混频器
- IFN201AST3
- FCQ38999/24KB98SCMIL-STD-461
- ECE-V1VA470WP
- FCQ38999/24JJ11PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26LG75PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24TE6SCMIL-STD-461
- FCQ38999/26FB99PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24JJ7PDMIL-STD-461
- FCQ38999/20WE99SBMIL-STD-461
- FCQ38999/24WJ24SAMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZD97PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24FJ43PBMIL-STD-461
- PMCU-5330
- 2221947-1
- MT47H128M8CF-25E AIT:H
- FCQ38999/26JJ24HADMIL-STD-461
- GTCL030A32-AFPY-B30-LC
- FCQ38999/26SD19PNMIL-STD-461
- IA4805D
- FCQ38999/24ZJ8PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26FB2ABMIL-STD-461