IFN201ST3TR
IFN201ST3TR
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- 品牌名称
- InterFET
- 商品型号
- IFN201ST3TR
- 商品编号
- C20516322
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.5V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
InterFET IFN201、IFN201A 和 IFN202 产品适用于对成本敏感的低噪声应用。这些产品非常适合音频麦克风和前置放大器设计。在室温20V时,栅极泄漏电流小于1pA。它们与SST201、MMBFJ201、J201和J202 JFET完全兼容。
商品特性
- 采用InterFET N106A几何结构
- 经过严格筛选的IFN201A:栅源截止电压(VGS(OFF))为 -0.5V至 -1.0V
- 低栅极泄漏电流:典型值为750fA @20V
- 低输入电容(CISS):典型值为3pF
- 高抗辐射能力
- 符合RoHS、REACH和CMR标准
- 提供定制测试和分档选项
- 提供表面贴装(SMT)和裸片封装选项
- 边缘情况SPICE建模:InterFET SPICE
应用领域
- 通用领域:放大器、低泄漏开关、信号混频器
- 音频领域:音调控制电路、耳机放大器、音频滤波器、前置放大器扬声器驱动、麦克风阻抗变换和驱动、唱机前置放大器
- 医疗领域:医学成像系统、医疗监护仪和记录仪、超声设备
- SMPJ304TR
- GTC030CF32-15SY-B30-LC
- FCQ38999/24KA35JNMIL-STD-461
- FCQ38999/20MF11PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26J37PNMIL-STD-461
- XG27-PK6018A
- 6134-385-15149
- ACC05E16S-4SY-025-B30-LC
- FCQ38999/24JJ90PBMIL-STD-461
- ACC05E14S-5PX-023-LC
- EDFA364A3PM-GD-F-D
- FCQ38999/24MA35HNMIL-STD-461
- FCQ38999/22JTMIL-STD-461
- FCQ38999/26MH6AAMIL-STD-461
- FCQ38999/24LJ29PNMIL-STD-461
- GTCL01-18-1PW-B30-LC
- FCQ38999/24KG39SDMIL-STD-461
- 109919-E
- GTC030AF32-6PZ-LC
- FCQ38999/24ZJ29PNMIL-STD-461
- A/CP-SBS

