商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 90uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
-50V InterFET 2N4117/A、2N4118/A 和 2N4119/A JFET 适用于超高输入阻抗应用。在室温下，栅极泄漏电流通常为 120fA。专有 InterFET 工艺具有极高的抗辐射能力。这些器件可用于飞安级二极管应用。
商品特性
- 采用 InterFET N0001H 几何结构
- 低栅极泄漏电流：在 20V 时典型值为 120fA
- 低输入电容 CISS：典型值为 1.8pF
- 典型栅源击穿电压 BVGSS：-60V
- 高抗辐射能力
- 符合 RoHS、REACH、CMR 标准
- 提供定制测试和分档选项
- 提供 SMT、TH 和裸片封装选项
- 边缘情况 SPICE 建模：InterFET SPICE
应用领域
- 缓冲器
- 信号混频器
- 飞安级二极管
- 成像系统
- 监视器
- SMP5020TR
- VI-J31-CZ-S
- 5-1616145-6
- FCQ38999/20JE22SCMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZG79SCMIL-STD-461
- RLC73K3AR432FTDG
- FCQ38999/23YG75PNMIL-STD-461
- FCQ38999/20TC8BAMIL-STD-461
- FCQ38999/24GF32SEMIL-STD-461
- RLC73PD3AR536FTDG
- FCQ38999/24GJ19SDMIL-STD-461
- PCE-112D1MH,000
- FCQ38999/26WB98PCMIL-STD-461
- IDT71024MS15Y
- RLC73PW3AR105FTDF
- SE2614T-R
- GTC030CFZ32-15SW-LC
- RLC73PD3AR825FTDF
- BNX40SC90-0804AX-CS9062
- FCQ38999/26KJ43SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24LG41PNMIL-STD-461