- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IFN160BST3TR
IFN160BST3TR
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- 品牌名称
- InterFET
- 商品型号
- IFN160BST3TR
- 商品编号
- C20516292
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 3mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
InterFET IFN160A、IFN160B 和 IFN160C 产品适用于对成本敏感的低噪声设计。这些产品非常适合音频麦克风和前置放大器设计。在室温下，栅极泄漏电流通常小于 3pA。是 2SK160 JFET 的精确替代品。
商品特性
- 采用 InterFET N107A 几何结构
- 低栅极泄漏电流：典型值为 3.00A（20V 时）
- 低输入电容 CISS：典型值为 4pF
- 低截止电压：典型值为 -1.0V
- 典型的栅源击穿电压 BVGSS：-80V
- 高辐射耐受性
- 提供定制测试和分档选项
- 符合 RoHS、REACH 和 CMR 标准
- 提供 SMT 和裸片封装选项
- 边缘情况 SPICE 建模：InterFET SPICE
应用领域
- 放大器
- 高阻抗开关
- 信号混频器
- 音调控制电路
- 耳机放大器
- SMP4118TR
- SMP4117A
- IFN201ST3TR
- GTC06A20-21S-B30-LC
- GTC06LCFZ32-57P-025-LC
- GTC06CF28-AYP-025-LC
- ACC08CF32-15SW-003-LC
- FCQ38999/23NH53PBMIL-STD-461
- FCQ38999/25YJ46PCMIL-STD-461
- GTC08R18-22SX-LC
- FCQ38999/24TH54SCMIL-STD-461
- FCQ38999/20WE8AAMIL-STD-461
- FCQ38999/21YE35PNMIL-STD-461
- FT24C32A-ETG-T
- FCQ38999/26KJ7ANMIL-STD-461
- MX3ACCC27M12
- FCQ38999/26WD35JNMIL-STD-461
- 6134-389-17149
- 519-036-540-332
- GTC030CF32-15SY-B30-LC
- FCQ38999/24KA35JNMIL-STD-461