IFN160CST3

InterFET IFN160A、IFN160B和IFN160C器件适用于对成本敏感的低噪声设计。这些器件非常适合音频麦克风和前置放大器设计。在室温下，栅极泄漏电流通常小于3pA。与2SK160 JFET完全兼容。

• 采用InterFET N107A几何结构
• 低栅极泄漏电流：在20V时典型值为3.00A
• 低输入电容CISS：典型值为4pF
• 低截止电压：典型值为 -1.0V
• 典型BVGSS： -80V
• 高辐射耐受性
• 提供定制测试和分档选项
• 符合RoHS、REACH和CMR标准
• 提供SMT和裸片封装选项
• 边缘情况SPICE建模：InterFET SPICE

• 通用领域：放大器、高阻抗开关、信号混频器
• 音频领域：音调控制电路、耳机放大器、音频滤波器、前置放大器扬声器驱动、麦克风阻抗变换和驱动、唱机前置放大器
• 医疗领域：医学成像系统、医疗监护仪和记录仪、超声设备