IF170AST3
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 6.5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
-30V的InterFET IF170x JFET适用于中频设计的敏感放大器级。通过InterFET定制订购可获得更高击穿电压的器件。IF389x是双匹配选项。
商品特性
- 采用InterFET N0132L几何结构
- 低噪声：典型值为1.0 nV/√Hz
- 高增益：典型值为22 mS
- 低栅极泄漏：在10V时典型值为750fA
- 高抗辐射能力
- 符合RoHS、REACH、CMR标准
- 提供定制测试和分档选项
- 提供SMT、TH和裸片封装选项
- 边缘情况SPICE建模：InterFET SPICE
应用领域
- 放大器
- 开关
- 电压调节器
- 振荡器
- 信号混频器