- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT40A4G4SA-062E:F
16Gb X4、x8、x16 DDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A4G4SA-062E:F
- 商品编号
- C20491258
- 商品封装
- 78-FBGA (7.5x11)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.14V~1.26V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V - 125mV + 250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 最高95℃时TC最大为64ms，85℃时进行8192周期刷新，周期为32ms；温度在>85℃至95℃时进行8192周期刷新
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前置码
- 数据选通前置码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写电平校准
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大程度节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
- 数据总线的数据总线反相（DBI）
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4的连通性测试，具备sPPR和hPPR能力，支持MBIST - PPR（仅芯片版本F）
- FCQ38999/26SJ46PAMIL-STD-461
- FCQ38999/20MJ90PNMIL-STD-461
- FCQ38999/23NF18PEMIL-STD-461
- FCQ38999/24TJ4PBMIL-STD-461
- 6560-0501-01
- CF50-474JTR
- FCQ38999/24MG39SNMIL-STD-461
- 82357050100
- FCQ38999/20T37ABMIL-STD-461
- GTC08CF16S-4SZ-025-LC
- FCQ38999/24TA94PAMIL-STD-461
- VG-4511CA 122.8800M-GGCT3
- 2368390-1
- E3M0021120K
- GTC02R32-68PW-023-LC
- FCQ38999/26GJ29SAMIL-STD-461
- FCQ38999/26WG39PBMIL-STD-461
- GTC02R22-19P-025-LC
- BB132-L
- ACC08CF16S-4SZ-025-B30-LC
- FCQ38999/26MJ11SDMIL-STD-461