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MT40A4G4SA-062E:F实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT40A4G4SA-062E:F

MT40A4G4SA-062E:F

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品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT40A4G4SA-062E:F
商品编号
C20491258
商品封装
78-FBGA (7.5x11)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)SDRAM DDR4
时钟频率(fc)1.6GHz
属性参数值
存储容量16Gbit
工作电压1.14V~1.26V
工作温度0℃~+95℃

商品特性

  • VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
  • VPP = 2.5V - 125mV + 250mV
  • 片上、内部、可调的VREFDQ生成
  • 1.2V伪开漏I/O
  • 最高95℃时TC最大为64ms,85℃时进行8192周期刷新,周期为32ms;温度在>85℃至95℃时进行8192周期刷新
  • 16个内部存储体(x4、x8):每组4个存储体,共4组
  • 8个内部存储体(x16):每组4个存储体,共2组
  • 8n位预取架构
  • 可编程数据选通前置码
  • 数据选通前置码训练
  • 命令/地址延迟(CAL)
  • 多功能寄存器读写能力
  • 写电平校准
  • 自刷新模式
  • 低功耗自动自刷新(LPASR)
  • 温度控制刷新(TCR)
  • 精细粒度刷新
  • 自刷新中止
  • 最大程度节能
  • 输出驱动器校准
  • 标称、空闲和动态片上终端(ODT)
  • 数据总线的数据总线反相(DBI)
  • 命令/地址(CA)奇偶校验
  • 数据总线写循环冗余校验(CRC)
  • 每个DRAM可寻址性
  • 符合JEDEC JESD - 79 - 4的连通性测试,具备sPPR和hPPR能力,支持MBIST - PPR(仅芯片版本F)

数据手册PDF

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