MT40A4G4SA-062E:F
MT40A4G4SA-062E:F
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A4G4SA-062E:F
- 商品编号
- C20491258
- 商品封装
- 78-FBGA (7.5x11)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR4 | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V - 125mV + 250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 最高95℃时TC最大为64ms,85℃时进行8192周期刷新,周期为32ms;温度在>85℃至95℃时进行8192周期刷新
- 16个内部存储体(x4、x8):每组4个存储体,共4组
- 8个内部存储体(x16):每组4个存储体,共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前置码
- 数据选通前置码训练
- 命令/地址延迟(CAL)
- 多功能寄存器读写能力
- 写电平校准
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新(LPASR)
- 温度控制刷新(TCR)
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大程度节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端(ODT)
- 数据总线的数据总线反相(DBI)
- 命令/地址(CA)奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验(CRC)
- 每个DRAM可寻址性
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4的连通性测试,具备sPPR和hPPR能力,支持MBIST - PPR(仅芯片版本F)
优惠活动
购买数量
(1260个/袋,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1260个/袋
总价金额:
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