MT40A4G8NEA-062E:F

32Gb x4/x8 Twin Die DDR4 SDRAM

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT40A4G8NEA-062E:F
商品编号: C20491645
商品封装: 78-FBGA (7.5x11)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.562克(g)

商品参数

商品概述

32Gb（TwinDie™）DDR4 SDRAM采用美光的16Gb DDR4 SDRAM芯片（本质上是两个16Gb DDR4 SDRAM的存储体）。未包含在本文档中的规格，请参考美光16Gb DDR4 SDRAM的数据手册。基础部件编号MT40A4G4的规格与TwinDie制造部件编号MT40A8G4相关；基础部件编号MT40A2G8的规格与TwinDie制造部件编号MT40A4G8相关。TwinDie DDR4 SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储设备，内部配置为两个16存储体的DDR4 SDRAM设备。尽管双芯片封装中的每个芯片都单独进行了测试，但某些TwinDie测试结果可能与单片芯片封装中测试的同类芯片有所不同。DDR4 SDRAM采用双倍数据速率架构来实现高速运行。双倍数据速率架构是一种8n预取架构，其接口设计为每个时钟周期传输两个数据字。

商品特性

使用美光16Gb芯片
两个存储体（包括双片选信号、片内终端电阻和时钟使能引脚）
每个存储体有4组，每组4个内部存储体，可并发操作
电源电压VDD = VDDQ = 1.2V（1.14 - 1.26V）
1.2V VDDQ端接的输入/输出
JEDEC标准引脚排列
薄型封装
工作温度范围为0°C至95°C
0°C至85°C：64ms内进行8192次刷新周期
85°C至95°C：32ms内进行8192次刷新周期

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	DDR SDRAM
	存储器构架(格式)	DDR4 SDRAM
	时钟频率(fc)	1.6GHz
	存储容量	32Gbit
	工作电压	1.14V~1.26V

	属性	参数值
	工作电流	76mA
	刷新电流	22mA
	工作温度	0℃~+95℃
	功能特性	自动自刷新