MT47H32M16CC-3E:B
512Mb X4、X8、X16 DDR2 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H32M16CC-3E:B
- 商品编号
- C20494706
- 商品封装
- 84-FBGA (12x12.5)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR2 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 333MHz | |
| 存储容量 | 512Mbit |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 工作温度 | 0℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
商品特性
- Vdd = +1.8V ±0.1V,VddQ = +1.8V ±0.1V
- JEDEC标准1.8V I/O(兼容SSTL_18)
- 差分数据选通(DQS,DQS#)选项
- 4n位预取架构
- x8的双输出选通(RDQS)选项
- DLL用于使DQ和DQS转换与CK对齐
- 4个内部存储体用于并发操作
- 可编程CAS潜伏期(CL)
- 后置CAS附加潜伏期(AL)
- 写入潜伏期 = 读取潜伏期 - 1个时钟周期
- 可选突发长度:4或8
- 可调数据输出驱动强度
- 64ms,8192周期刷新
- 片上终端(ODT)
- 工业温度(IT)选项
- 汽车温度(AT)选项
- 符合RoHS标准
- 支持JEDEC时钟抖动规范
