- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT40A2G4SA-062E:J TR
8Gb:X4,X8,X16 DDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A2G4SA-062E:J TR
- 商品编号
- C20491710
- 商品封装
- 78-FBGA (7.5x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V，-125mV，+250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 在TC温度范围内8192周期的刷新时间：-40°C至85°C时为64ms；>85°C至95°C时为32ms；>95°C至105°C时为16ms
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前导码
- 数据选通前导码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多用途寄存器读写能力
- 写电平调整
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反相（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 连通性测试
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- sPPR和hPPR能力
- Q5-GENL-100L-O-X-ACETLYENE
- FCQ38999/26FG41SDMIL-STD-461
- FCQ38999/26SH21PEMIL-STD-461
- 4-1670730-2
- GTC02R32-82PW-023-LC
- ACC00A20-21S-003-B30-LC
- LB7B-A1T2Y
- MT40A8G4NEA-062E:F TR
- FCQ38999/26LA98SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24FE6PAMIL-STD-461
- PCF0603R-8K25BT1
- GTC030CFZ32-13SX-LC
- GTC08-16S-5PZ-B30-LC
- D4C-4
- GTC06A28-6PZ-025-B30-LC
- FCQ38999/24WA35SDMIL-STD-461
- FCQ38999/26KD19SAMIL-STD-461
- FCQ38999/26FJ29PNMIL-STD-461
- GTCL08-16S-8P-LC
- FCQ38999/21YG16PAMIL-STD-461
- FCQ38999/24FF18PAMIL-STD-461