商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 104A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28.8mΩ@15V | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 174pF |
商品概述
PTVA035002EV LDMOS场效应晶体管专为390 MHz至450 MHz频段的功率放大器应用而设计。其特性包括高增益和带螺栓固定法兰的热增强型封装。该器件采用先进的LDMOS工艺制造，具有出色的热性能和卓越的可靠性。
商品特性
- 第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术
- 采用独立驱动源极引脚的优化封装
- 漏极与源极之间的爬电距离为8mm
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容的高速开关
- 具有低反向恢复电荷(Qrr)的快速本征二极管
- 无卤,符合RoHS标准
- 通过汽车级认证(AEC-Q101),具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 电机控制
- 电动汽车电池充电器
- 高压直流/直流转换器
- E3M0160120K
- GTC02R32-68PW-023-LC
- FCQ38999/26GJ29SAMIL-STD-461
- FCQ38999/26WG39PBMIL-STD-461
- GTC02R22-19P-025-LC
- BB132-L
- ACC08CF16S-4SZ-025-B30-LC
- FCQ38999/26MJ11SDMIL-STD-461
- FCQ38999/26GG35PEMIL-STD-461
- FCQ38999/20LG11SAMIL-STD-461
- 2085120-1
- FCQ38999/20TB5BCMIL-STD-461
- FCQ38999/20LB98SEMIL-STD-461
- FCQ38999/26TF18PBMIL-STD-461
- FCQ38999/24TB5PBMIL-STD-461
- FCQ38999/25YE26PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26KG11PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26LJ35SEMIL-STD-461
- OC-19-201-QL
- FCQ38999/25YJ29PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26LC4ANMIL-STD-461