- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT40A2G8NEA-062E:R TR
8Gb X4、X8、X16 DDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(美光)
- 商品型号
- MT40A2G8NEA-062E:R TR
- 商品编号
- C20490752
- 商品封装
- 78-FBGA (7.5x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；ZQ校准功能；自动预充电功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV
- Vpp = 2.5V, -125mV, +250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- 在TC温度范围内8192周期的刷新时间：
- -40°C至85°C时为64ms
-
85°C至95°C时为32ms
-
95°C至105°C时为16ms
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前置码
- 数据选通前置码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多用途寄存器读写能力
- 写电平调整
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反相（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 连通性测试
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- sPPR和hPPR能力
- MBIST - PPR支持（仅芯片版本R）
- 版本：A、B、D、E、G、H、J、R
- FCQ38999/24MD5ANMIL-STD-461
- FCQ38999/21NE35PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26LC4BNMIL-STD-461
- GTCL01R28-12SX-B30-LC
- FCQ38999/20LB35PNMIL-STD-461
- FCQ38999/20MD18PCMIL-STD-461
- CTS-M5130X-Q0R0000
- 402WF25015HVR
- ECH-U01103GX5
- FCQ38999/26SC4PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26MB5BNMIL-STD-461
- G12KC
- 900 EQ ZEL
- FCQ38999/23YJ41PBMIL-STD-461
- ACC05E24-5SZ-025-LC
- GTC08-14S-7S-B30-LC
- FCQ38999/20LH55PDMIL-STD-461
- FCQ38999/24WH35PDMIL-STD-461
- FCQ38999/24JJ17PAMIL-STD-461
- GTCL030CF24-58S-025-LC
- FCQ38999/26JH53PEMIL-STD-461