MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C
汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C
- 商品编号
- C20450665
- 商品封装
- 200-TFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 48Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 12.5mA | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V,标称1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V,标称1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V,标称0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V,标称1.10 V
- 频率范围:2133-10兆赫兹(每引脚数据速率范围:4266-20兆比特/秒)
- 16n预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体用于并发操作
- 单倍数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持每存储体定向刷新,便于命令调度
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- RoHS兼容包装
- 可编程VSS端接
- 支持单端时钟与数据选通
- 工作温度范围:-40°C到+95°C,-40°C到+105°C,-40°C到+125°C
- MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C
- MT53E2G32D4DE-046 WT:C
- MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 IT:A
- MT53E1G16D1FW-046 AAT:A
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- MT53E1G32D2FW-046 AAT:A
- MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
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- MT53E1G32D2FW-046 IT:B
- MT53E2G32D4DE-046 AIT:A
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- MT53E1G16D1FW-046 AIT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:A
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- MT53E1G16D1FW-046 WT:A
- MT53E1536M32D4DE-046 WT:C
- MT53E256M32D2FW-046 AUT:B
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:A TR
- MT53E1536M32D4DE-046 AAT:C
- FCQ38999/26KJ90SBMIL-STD-461
- GTC01RV20-18SZ-B30-LC
- W6S2-P012
- GTC030AF32-57S-RDS-LC
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- 42R35A-3152-200
- MT53E2G32D4DE-046 WT:A
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- GTC06A20-3SY-023-B30-LC
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