商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 耗散功率(Pd) | 14W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 9pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.4pF | |
| 输出电容(Coss) | 2.6pF |
商品概述
CGH27030是一款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计,这使得CGH27030非常适合用于甚高频(VHF)、通信、3G、4G、LTE、2.3 - 2.9 GHz WiMAX和宽带无线接入(BWA)放大器应用。该未匹配晶体管有螺丝固定法兰封装和焊接贴片封装两种形式。
商品特性
- 甚高频 - 3.0 GHz工作频率
- 30 W峰值功率能力
- 15 dB小信号增益
- 在误差矢量幅度(EVM)< 2.0%时,平均功率(PAVE)为4.0 W
- 平均功率为4 W时,漏极效率为28%
- WiMAX固定接入802.16 - 2004正交频分复用(OFDM)
- WiMAX移动接入802.16e正交频分多址(OFDMA)
- 提供适用于安捷伦设计系统(ADS)和微波办公室(MWO)的大信号模型
- 符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源-高压DC/DC转换器-开关电源-不间断电源(UPS)