商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 271W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 第三代碳化硅(SiC)MOSFET技术
- 采用独立驱动源极引脚的优化封装
- 高阻断电压与低导通电阻
- 低电容的高速开关
- 低反向恢复电荷(Qrr)的快速本征二极管
- 无卤,符合RoHS标准
应用领域
- 数据中心和电信电源
- 电动汽车电池充电器
- 高压DC/DC转换器
- 储能系统
- 太阳能逆变器
- HERAF1007G
- 6355-0005-13
- 4-1622796-4
- RLW73PA2FR047TDF
- 3430A2F160KTD
- FCQ38999/26KG41PDMIL-STD-461
- TUHO-V88Y-930-Q
- FCQ38999/26MJ7PEMIL-STD-461
- Y5015-000000077933
- FCQ38999/26LJ29PDMIL-STD-461
- FCQ38999/27YJ24PDMIL-STD-461
- SW-R3-1A-A-W1-2
- GTC030LCF32-1SZ-025-RDS-LC
- FCQ38999/20GJ90SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24MJ61SAMIL-STD-461
- FCQ38999/24MJ19JNMIL-STD-461
- FCQ38999/20ZD5AAMIL-STD-461
- FCQ38999/26ZD4BNMIL-STD-461
- FCQ38999/24JG75SDMIL-STD-461
- MT48H4M16LFF4-10 TR
- 2386014-5