商品参数
参数完善中
商品概述
CGH60030D是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有更优越的特性，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁移率晶体管可提供更高的功率密度和更宽的带宽。
商品特性
- 在4 GHz时典型小信号增益为15 dB
- 在6 GHz时典型小信号增益为12 dB
- 典型饱和功率(PSAT)为30 W
- 工作电压为28 V
- 高击穿电压
- 可高温工作
- 最高工作频率可达6 GHz
- 高效率
应用领域
- 双路专用无线电
- 宽带放大器
- 蜂窝通信基础设施
- 测试仪器
- 适用于正交频分复用(OFDM)、宽带码分多址(W-CDMA)、增强型数据速率GSM演进技术(EDGE)、码分多址(CDMA)波形的A类、AB类线性放大器