CGHV1J006D-GP4
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2pF | |
| 输出电容(Coss) | 0.35pF |
商品概述
GTVA123501FA是一款适用于1200至1400 MHz频段的350瓦碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）。它具有输入匹配、高效率的特点，并采用了带无耳法兰的热增强型表面贴装封装。
商品特性
- 在10 GHz时典型小信号增益为17 dB
- 在10 GHz时典型功率附加效率(PAE)为60%
- 典型饱和输出功率(P SAT)为6 W
- 工作电压为40 V
- 最高工作频率可达18 GHz
应用领域
- 卫星通信
- 点对点通信链路
- 船用雷达
- 游艇雷达
- 港口船舶交通服务
- 宽带放大器
- 高效放大器