商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
CGH27030是一款氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计，这使得CGH27030非常适合用于甚高频（VHF）、通信、3G、4G、LTE、2.3 - 2.9 GHz WiMAX和宽带无线接入（BWA）放大器应用。该未匹配晶体管有螺丝固定法兰封装和焊接贴片封装两种形式。
商品特性
- 3.3 - 3.9 GHz工作频率
- 15 W峰值功率能力
- 12 dB小信号增益
- 误差向量幅度(EVM)< 2.0%时平均功率为2.0 W
- 平均功率为2 W时效率达26%
- 支持802.16 - 2004 OFDM WiMAX固定接入
- 支持802.16e OFDMA WiMAX移动接入
- 提供适用于ADS和MWO的大信号模型
- 符合RoHS标准