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MT53E1G32D2FW-046 AIT:B引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT53E1G32D2FW-046 AIT:B

汽车用LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM

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私有库下单最高享92折
描述
特性：超低电压核心和 I/O 电源。 VDD1 = 1.70-1.95V；标称值 1.80V。 VDD2 = 1.06-1.17V；标称值 1.10V。 VDDQ = 0.57-0.65V；标称值 0.60V 或 VDDQ = 1.06-1.17V；标称值 1.10V
品牌名称
micron(美光)
商品型号
MT53E1G32D2FW-046 AIT:B
商品编号
C20452105
商品封装
200-TFBGA(10x14.5)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量32Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流80mA
刷新电流6mA
工作温度-40℃~+95℃
功能特性写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

商品特性

  • 超低电压核心和I/O电源供应
  • VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称1.80 V
  • VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称1.10 V
  • VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称1.10 V
  • 频率范围：2133-10 MHz（每引脚数据速率范围：4266-20 Mb/s）
  • 16n预取DDR架构
  • 每通道8个内部存储体，用于并发操作
  • 单数据速率CMD/ADR输入
  • 每字节通道双向/差分数据选通
  • 可编程读写延迟（RL/WL）
  • 可编程和动态突发长度（BL = 16, 32）
  • 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
  • 每芯片x16通道高达8.5 GB/s
  • 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新（PASR）
  • 可选输出驱动强度（DS）
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS标准，“绿色”封装
  • 可编程VSS（ODT）终端
  • 单端CK和DQS支持

数据手册PDF

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