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MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR

x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR
商品编号
C20453451
商品封装
200-TFBGA (10x14.5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量16Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流45mA
刷新电流3mA
工作温度-30℃~+85℃
功能特性写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能

商品特性

  • VDD1 = 1.70 ~ 1.95 V；标称1.80 V
  • VDD2 = 1.06 ~ 1.17 V；标称1.10 V
  • VDDQ = 1.06 ~ 1.17 V；标称1.10 V，或低VDDQ = 0.57 ~ 0.65 V；标称0.60 V
  • 超低电压核心与输入/输出电源
  • 频率范围：2133 ~ 10 MHz（数据速率范围：每引脚4266 ~ 20 Mb/s）
  • 16n预取双倍数据速率架构
  • 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
  • 单数据速率命令/地址输入
  • 每个字节通道支持双向/差分数据选通
  • 可编程的读取与写入延迟
  • 可编程及动态突发长度（BL = 16， 32）
  • 支持定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
  • 每芯片最高8.5 GB/s带宽
  • 集成片上温度传感器以控制自刷新速率
  • 支持部分阵列自刷新
  • 可选输出驱动强度
  • 支持时钟停止功能
  • 符合RoHS标准的环保封装
  • 可编程VSS端接
  • 支持单端时钟与数据选通
  • 改进的tRFCab / tRFCpb = 280 ns / 140 ns
  • 符合AEC-Q100标准
  • 工作温度范围：-40℃ 至 +95℃；-40℃ 至 +105℃ AT；-40℃ 至 +125℃ UT

数据手册PDF

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