MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR
x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR
- 商品编号
- C20453451
- 商品封装
- 200-TFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 45mA | |
| 刷新电流 | 3mA | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能 |
商品特性
- 本数据手册规定了统一的LPDDR4和LPDDR4X产品的操作,并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。当将该产品用作LPDDR4设备时,请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
- VDD1 = 1.70 - 1.95V;标称值1.80V
- VDD2 = 1.06 - 1.17V;标称值1.10V
- VDDQ = 1.06 - 1.17V;标称值1.10V,或低VDDQ = 0.57 - 0.65V;标称值0.60V
- 超低电压核心和I/O电源
- 频率范围:2133 - 10 MHz(数据速率范围:每引脚4266 - 20 Mb/s)
- 16n预取DDR架构
- 每个通道有8个内部存储体以实现并发操作
- 单数据速率CMD/ADR输入
- 每个字节通道的双向/差分数据选通
- 可编程的读取和写入延迟(RL/WL)
- 可编程且动态的突发长度(BL = 16, 32)
- 针对并发存储体操作和易于命令调度的按存储体定向刷新
- 每个管芯高达8.5 GB/s
- 片上温度传感器以控制自刷新速率
- 部分阵列自刷新(PASR)
- 可选的输出驱动强度(DS)
- 时钟停止能力
- 符合RoHS标准的“绿色”封装
- 可编程的VSS(ODT)终端
- 单端CK和DQS支持
- 改进的tRFCab / tRFCpb = 280 ns / 140 ns
- 符合AEC - Q100标准
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