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MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR实物图
  • MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR

x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT53E1G16D1FW-046 WT:A TR
商品编号
C20453451
商品封装
200-TFBGA (10x14.5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量16Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流45mA
刷新电流3mA
工作温度-30℃~+85℃
功能特性写入均衡功能;内置温度传感器;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;数据掩码功能

商品特性

  • 本数据手册规定了统一的LPDDR4和LPDDR4X产品的操作,并首先描述了LPDDR4X 0.6V VDDQ操作的具体要求。当将该产品用作LPDDR4设备时,请参考本数据手册末尾的LPDDR4设置部分LPDDR4 1.10V VDDQ。
  • VDD1 = 1.70 - 1.95V;标称值1.80V
  • VDD2 = 1.06 - 1.17V;标称值1.10V
  • VDDQ = 1.06 - 1.17V;标称值1.10V,或低VDDQ = 0.57 - 0.65V;标称值0.60V
  • 超低电压核心和I/O电源
  • 频率范围:2133 - 10 MHz(数据速率范围:每引脚4266 - 20 Mb/s)
  • 16n预取DDR架构
  • 每个通道有8个内部存储体以实现并发操作
  • 单数据速率CMD/ADR输入
  • 每个字节通道的双向/差分数据选通
  • 可编程的读取和写入延迟(RL/WL)
  • 可编程且动态的突发长度(BL = 16, 32)
  • 针对并发存储体操作和易于命令调度的按存储体定向刷新
  • 每个管芯高达8.5 GB/s
  • 片上温度传感器以控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新(PASR)
  • 可选的输出驱动强度(DS)
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS标准的“绿色”封装
  • 可编程的VSS(ODT)终端
  • 单端CK和DQS支持
  • 改进的tRFCab / tRFCpb = 280 ns / 140 ns
  • 符合AEC - Q100标准

数据手册PDF