- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR
128Mb x16、x32 移动型 LPDDR SDRAM
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 128Mb Mobile LPDDR SDRAM是一款低功耗、高速度的动态随机存取存储器。它支持双数据速率架构，每个时钟周期可以传输两个数据字。该器件具有内部四bank结构，支持自动预充电功能，适用于移动设备。
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT46H4M32LFB5-6 AT:K TR
- 商品编号
- C20455344
- 商品封装
- 90-VFBGA (8x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | - | |
| 时钟频率(fc) | 166MHz | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | - | |
| 功能特性 | 自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD / VDDQ = 1.70 - 1.95V
- 每字节数据的双向数据选通（DQS）
- 内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构；每个时钟周期进行两次数据访问
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 在每个正CK边沿输入命令
- 读取时DQS与数据边沿对齐；写入时DQS与数据中心对齐
- 4个内部存储体用于并发操作
- 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据；每字节一个掩码
- 可编程突发长度（BL）：2、4、8或16
- 支持并发自动预充电选项
- 自动刷新和自刷新模式
- 1.8V LVCMOS兼容输入
- 温度补偿自刷新（TCSR）
- 部分阵列自刷新（PASR）
- 深度掉电（DPD）
- 状态读取寄存器（SRR）
- 可选输出驱动强度（DS）
- 时钟停止功能
- 64ms刷新
- MT46H64M32LFMA-5 IT:A TR
- MT46H128M32L2KQ-6 WT:B TR
- FCQ38999/20GF32SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24GG11SDMIL-STD-461
- GTC08-14S-4S-025-LC
- FCQ38999/21YH54PCMIL-STD-461
- FCQ38999/21NJ41PBMIL-STD-461
- FCQ38999/20ZJ20PBMIL-STD-461
- ACC04E24-16R-025-LC
- ACC02E20-21SZ-003-LC
- GTC030LCF32-1PY-025-B30-LC
- 892583-000
- ACC05E32-6P-003-LC
- FCQ38999/26ZG11PDMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZH54PNMIL-STD-461
- FCQ38999/20FD15PNMIL-STD-461
- GTCL030-32-AFPW-025-B30-LC
- FCQ38999/20KG39SDMIL-STD-461
- FCQ38999/24FE26PDMIL-STD-461
- MT48LC4M32LFB5-8 IT:G
- FCQ38999/25YF28PCMIL-STD-461