- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E1536M32D4DE-046 WT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E1536M32D4DE-046 WT:C
- 商品编号
- C20452658
- 商品封装
- 200-TFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 48Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；数据掩码功能 |
商品特性
- 基于LPDDR4X信息，适用于LPDDR4X和LPDDR4的统一产品。
- 采用超低电压核心和输入/输出电源，VDD1标称值为1.80V，VDD2标称值为1.10V，VDDQ标称值为0.60V或1.10V。
- 频率范围为2133至10兆赫兹，每个引脚的数据传输速率范围为4266至20兆位/秒。
- 采用16n预取双倍数据速率架构，每个通道有8个内部存储体用于并发操作。
- 支持单数据速率命令和地址输入，每个字节通道配备双向/差分数据选通信号。
- 支持可编程的读取和写入延迟，以及可编程和动态突发长度。
- 支持定向的按存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度。
- 每个芯片的每个16位通道数据传输速率最高可达8.5吉字节/秒。
- 配备片上温度传感器以控制自刷新速率，支持部分阵列自刷新功能。
- 支持可选的输出驱动强度，具备时钟停止能力。
- 采用符合RoHS标准的环保封装。
- 支持可编程的VSS端接，兼容单端时钟和数据选通信号。
- MT53E256M32D2FW-046 AUT:B
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:A TR
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- 9-1879212-7
- GTC02R20-3SW-B30-LC
- A/CO2-R2SO-CP-A10-C5
- FCQ38999/20GG41PDMIL-STD-461
- V28B24C150BF
- SW-R2-1A-F-LB13-2
- FCQ38999/27YG11PNMIL-STD-461
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- 2-2176315-8
- GTC06A20-29PZ-023-B30-LC
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