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MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR

200b:x16/x32 汽车级 LPDDR4/LPDDR4X SDRAM

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR
商品编号
C20451997
商品封装
200-TFBGA (10x14.5)​
包装方式
编带
商品毛重
0.376克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DDR SDRAM
存储器构架(格式)LPDDR4X SDRAM
时钟频率(fc)2.133GHz
存储容量4Gbit
工作电压1.06V~1.17V
属性参数值
工作电流12mA
刷新电流500uA
工作温度-40℃~+125℃
功能特性写入均衡功能；自动自刷新；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能

商品特性

  • VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值 1.80 V
  • VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
  • VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V 或 LowVDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值 0.60 V
  • 超低电压内核和I/O电源
  • 频率范围：2133-10 MHz（数据速率范围：4266-20 Mb/s/引脚）
  • 16n预取DDR架构
  • 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
  • 单倍数据速率CMD/ADR输入
  • 每个字节通道双向/差分数据选通
  • 可编程读取和写入延迟
  • 可编程和动态突发长度
  • 定向每存储体刷新，便于并发存储体操作和命令调度
  • 每芯片最高8.5 GB/s带宽
  • 片上温度传感器，用于控制自刷新速率
  • 部分阵列自刷新
  • 可选输出驱动强度
  • 时钟停止能力
  • 符合RoHS标准的“绿色”封装
  • 可编程VSS 端接
  • 支持单端CK和DQS

数据手册PDF

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