- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT53E2G32D4DE-046 WT:C
LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT53E2G32D4DE-046 WT:C
- 商品编号
- C20450999
- 商品封装
- 200-TFBGA (10x14.5)
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | LPDDR4X SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 2.133GHz | |
| 存储容量 | 64Gbit | |
| 工作电压 | 1.06V~1.17V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 168mA | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | -25℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；内置温度传感器；自动预充电功能；ZQ校准功能 |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源供应
- VDD1 = 1.70 - 1.95 V；标称值 1.80 V
- VDD2 = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- VDDQ = 0.57 - 0.65 V；标称值 0.60 V 或 VDDQ = 1.06 - 1.17 V；标称值 1.10 V
- 频率范围：2133-10 兆赫兹
- 每引脚数据速率范围：4266-20 兆比特/秒
- 16n 预取双倍数据速率架构
- 每个通道8个内部存储体，支持并发操作
- 单数据速率命令/地址输入
- 每个字节通道支持双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 可编程及动态突发长度
- 支持定向每存储体刷新，便于命令调度
- 片上温度传感器用于控制自刷新速率
- 支持部分阵列自刷新
- 可选输出驱动强度
- 支持时钟停止功能
- 符合环保标准的封装
- 可编程接地端接
- 支持单端时钟与数据选通
- MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 IT:A
- MT53E1G16D1FW-046 AAT:A
- MT53E1G32D2FW-046 AAT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 AUT:B TR
- MT53E1G32D2FW-046 AAT:A
- MT53E512M32D1ZW-046 AAT:B
- MT53E1G32D2FW-046 IT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 IT:B
- MT53E2G32D4DE-046 AIT:A
- MT53E128M32D2FW-046 AUT:A TR
- MT53E1G16D1FW-046 AIT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:A
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:B
- MT53E256M16D1FW-046 AAT:B
- MT53E1G16D1FW-046 WT:A
- MT53E1536M32D4DE-046 WT:C
- MT53E256M32D2FW-046 AUT:B
- MT53E1G32D2FW-046 AIT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 WT:A TR
- MT53E1G32D2FW-046 WT:B
- MT53E1G32D2FW-046 AUT:A TR
- GTC030A40-1SX-025-B30-LC
- GTC06-14S-7PY-LC
- GTC030-20-21SY-025-B30-LC
- 1926325-1
- FCQ38999/27YB5PBMIL-STD-461
- 2132465-1
- FCQ38999/20WE99SNMIL-STD-461
- FCQ38999/21NH35PBMIL-STD-461
- MT53E1536M32D4DE-046 AIT:C TR
- GTC00CFZ32-52S-RDS-LC
- LE50000
- 212856
- GTC00-28-12S-LC
- FCQ38999/24MG75SEMIL-STD-461
- GTCL06CF28-6PZ-025-LC
- FCQ38999/24MH6BDMIL-STD-461
- MT53E256M32D2FW-046 AIT:B TR
- FCQ38999/20TF31PAMIL-STD-461
- FCQ38999/20MB35SEMIL-STD-461
- FCQ38999/24KH35PAMIL-STD-461