MT47H128M16RT-25E IT:C TR
2Gb:X4、X8、X16 DDR2 SDRAM
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性:VDD = 1.8V±0.1V,VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O(SSTL_18兼容)。 差分数据选通(DQS,DQS#)选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通(RDQS)选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。 可编程CAS延迟(CL)。 发布式CAS附加延迟(AL)。 写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。 可编程突发长度:4或8。 可调数据输出驱动强度。 64ms,8192周期刷新。 片上终端(ODT)。 工业温度(IT)选项。 符合RoHS标准。 支持JEDEC时钟抖动规范
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT47H128M16RT-25E IT:C TR
- 商品编号
- C2061206
- 商品封装
- FBGA-84(9x12.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.358克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | SDRAM DDR2 | |
| 时钟频率(fc) | 400MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.7V~1.9V | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ |
商品特性
- VDD = 1.8V ± 0.1V,VDDQ = 1.8V ± 0.1V
- JEDEC标准1.8V I/O(兼容SSTL_18)
- 差分数据选通(DQS、DQS#)选项
- 4n位预取架构
- x8模式下的双输出选通(RDQS)选项
- DLL用于使DQ和DQS转换与CK对齐
- 8个内部存储体,可并发操作
- 可编程CAS潜伏期(CL)
- 后置CAS附加潜伏期(AL)
- 写潜伏期 = 读潜伏期 - 1个时钟周期
- 可编程突发长度:4或8
- 可调数据输出驱动强度
- 64ms、8192周期刷新
- 片上终端(ODT)
- 工业温度(IT)选项
- 符合RoHS标准
- 支持JEDEC时钟抖动规范
相似推荐
其他推荐
- MT41K256M16TW-107 AAT:P TR
- MT46H32M32LFB5-5 AAT:B TR
- MT41K128M8DA-107:J TR
- MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
- MT41K512M8DA-107 AAT:P TR
- MT47H256M8EB-25E:C TR
- MT40A256M16LY-062E AAT:F TR
- MT46H32M16LFBF-5 IT:C
- MT41K256M8DA-125 AIT:K TR
- MT41K128M8DA-107 IT:J
- MT47H128M16RT-25E XIT:C
- MT41K128M16JT-107 IT:K TR
- MT41K256M16TW-107 AIT:P TR
- MT41K512M8DA-107 XIT:P TR
- MT46H32M32LFB5-5 IT:B TR
- MT46H64M16LFBF-5 AIT:B TR
- MT46V16M16CY-5B IT:M TR
- MT41K256M8DA-107:K
- MT41J256M8DA-125:K TR
- MT41K128M16JT-125 XIT:K TR
- MT41K1G4DA-107:P
