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M95160-DRMN8TP/K

16 Kbit串行SPI总线EEPROM-105 ℃工作温度

描述: 16 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95160-DRMN8TP/K
商品编号: C2061034
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.287克(g)

商品参数

	属性	参数值
	数据保留 - TDR(年)	50年
	写周期寿命	400万次
	功能特性	内置上电复位(POR)；页写保护功能；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+105℃

商品概述

M95160-DRE是一款16-Kbit串行EEPROM器件，工作温度最高可达105℃，符合AEC-Q100等级2的可靠性要求。该器件通过简单的串行SPI兼容接口访问，接口速度最高可达20MHz。存储阵列基于真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器），为字节可修改存储器（2048×8位），组织为64页，每页32字节，内置错误校正码逻辑显著提升数据完整性。该器件提供额外的识别页（32字节），可读取器件标识；该页也可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容串行外设接口（SPI）总线
16 Kbit（2 K字节）EEPROM，页大小32字节；支持按块（1/4、1/2或整个存储器）写保护；额外的可写锁定识别页
扩展的温度和电压范围：最高105℃（Vcc从1.7V到5.5V）
高速时钟频率：Vcc≥4.5V时为20MHz；Vcc≥2.5V时为10MHz；Vcc≥1.7V时为5MHz
施密特触发器输入，用于噪声滤波
短写周期时间：字节写入4ms内；页写入4ms内
写周期耐久性：25℃下400万次；85℃下120万次；105℃下90万次
数据保留时间：105℃下超过50年；55℃下200年
ESD保护（人体模型）：4000V
封装类型：SO8（MN）150 mil宽度；TSSOP8（DW）169 mil宽度；WFDFPN8（MF）DFN8-2×3 mm
符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	16Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	4ms