- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DDB6U50N22W1RPB11BPSA1
DDB6U50N22W1RPB11BPSA1
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- DDB6U50N22W1RPB11BPSA1
- 商品编号
- C20190882
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | IGBT模块 | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.7kV | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.45V；1.95V；2.35V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 600nC@900V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.5nF | |
| 输出电容(Coes) | - | |
| 反向传输电容(Cres) | 150pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 1.43us；1.24us；1.39us | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 560ns；380ns；520ns | |
| 导通损耗(Eon) | 15.7mJ；11.4mJ；17mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 17.3mJ；15.3mJ；9.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品特性
- 电气特性 - V_CES = 1700 V - I_Cnom = 50 A / I_CRM = 100 A - T_vj,op = 150°C - 沟槽IGBT 4 - 2.2 kV整流二极管
- 机械特性
- 具有低热阻的Al₂O₃基板
- 4 kV交流1分钟绝缘
- PressFIT接触技术
- 紧凑设计
- 由于集成安装夹而坚固安装
- 预涂覆热界面材料
应用领域
- 电机驱动
- 产品验证
- 工业应用
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