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TSM70NB1R4CP

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品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM70NB1R4CP
商品编号: C19856187
商品封装: TO-252(DPAK)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.437克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。采用专有平面条纹设计，具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低 Crss“米勒”电容实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于控制开关期间的转换速率，即使在极高频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰 (EMI) 和可靠的并联。高雪崩能量能力增强了反激、升压、正激等电路的可靠性。

商品特性

超结技术
高性能,低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积优值(FOM)
高耐用性
100%进行非钳位感性负载开关(UIS)和栅极电阻Rg测试
符合欧盟RoHS指令2011/65/EU和WEEE指令2002/96/EC
根据IEC 61249-2-21标准,无卤素

应用领域

-电源-交流/直流LED照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	700V
	连续漏极电流(Id)	3A
	导通电阻(RDS(on))	1.4Ω@10V
	耗散功率(Pd)	28W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	7.4nC
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道