温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

TSM80N400CF

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

品牌名称: Taiwan Semiconductor(台湾半导体)
商品型号: TSM80N400CF
商品编号: C19856195
商品封装: ITO-220S
包装方式: 管装
商品毛重: 2.383克(g)

商品参数

商品概述

Power MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET。这项新技术将JFET效应降至最低，提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。

商品特性

超结技术
高性能,低导通电阻RDS(ON)与栅极电荷Qg乘积(品质因数FOM)
高耐用性
100%进行非钳位感性开关(UIS)和栅极电阻(Rg)测试
符合欧盟指令2011/65/EU的RoHS标准,以及指令2002/96/EC的WEEE标准
根据IEC 61249-2-21标准为无卤产品

应用领域

电源
交直流LED照明

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	12A
	导通电阻(RDS(on))	400mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	69W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V
	栅极电荷量(Qg)	51nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.848nF
	类型	N沟道