TSM900N10CH
TSM900N10CH
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- 商品型号
- TSM900N10CH
- 商品编号
- C19856205
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 480pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 超高密度单元设计
- 极低阈值电压
- 高直流电流下具备出色的导通电阻
应用领域
- 便携式设备负载开关
- DC/DC转换器
- 电源开关